真空鍍膜技術又稱為物理氣相沉積（PVD），是指在真空條件下，利用各種物理方法，將鍍料氣化成原子、分子或使其離子化為離子，直接沉積到基體表面上的方法，主要包括真空蒸鍍、濺射鍍膜、離子鍍膜等。

         TG系列離子鍍膜機是利用其中的離子鍍膜技術，離子鍍膜技術是在真空蒸發和真空濺射兩種鍍膜技術的基礎上發展起來的一種新的鍍膜技術，這種鍍膜技術由于在膜的沉積過程中基片始終受到高能離子的轟擊而十分清潔，因此它與蒸發鍍膜和濺射鍍膜相比較，具有一些列的優點。

         離子鍍膜技術的沉積原理可以簡單描述如下：

         真空系統對鍍膜真空室進行抽真空，當鍍膜真空室被抽到10^-3Pa左右的真空度以后，通過充氣系統向鍍膜腔體通入氬氣使其內部壓力穩定在10^-1Pa，這時當基片相對蒸發源加上負高壓之后。基片與蒸發源之間形成一個等離子區。由于處于負高壓的基片，被等離子體所包圍，不斷受到等離子體中的離子沖擊，因此它就可以有效的消除基片表面上所吸收的氣體和污物。使成膜過程中的膜層表面始終保持著清潔狀態。與此同時電弧蒸發源通過低壓電弧放電使膜材蒸發為氣態，這些膜材蒸氣粒子由于受到等離子體中正離子和電子的碰撞，其中一部分被電離成正離子，正離子在負高壓電場的作用下，被吸引到基片上成膜。

         電弧離子鍍的基本組成包括真空鍍膜室、陰極靶弧源、被鍍工件、負偏壓電源、真空系統等，如圖所示。陰極電弧蒸發源是電弧離子鍍的核心，它所產生的金屬等離子體自動維持陰極和鍍膜室之間的弧光放電。微小的弧斑在陰極靶面迅速徘徊，弧斑的電流密度很大，達到10⁵-10⁷A/cm²，電壓為20V左右。由于微弧能量密度非常大，弧斑發射金屬蒸汽流的速度可以達到10⁸m/s。陰極靶本身既是蒸發源又是離化源。

基于以上原理開發設計的TG系列鍍膜機的結構組成如下圖

該機型實際設備照片：